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高效多晶硅片

艦發新能源攜手業內前三的高效硅片研發伙伴,一直共同致力于研發、生產、光伏行業內領先的高效硅片,解決太陽能發電的硅材料環節低成本、高效率技術攻關問題,通過鑄錠、改良工藝拉晶的核心技術,確保公司硅片環節經營不受各種政策及市場行情的影響。
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產品描述

  艦發新能源攜手業內前三的高效硅片研發伙伴,一直共同致力于研發、生產、光伏行業內領先的高效硅片,解決太陽能發電的硅材料環節低成本、高效率技術攻關問題,通過鑄錠、改良工藝拉晶的核心技術,確保公司硅片環節經營不受各種政策及市場行情的影響。高效硅片規格如下:

多晶規格
Polycrystalline Specification
硅片尺寸 Wafer Dimention 156.75m * 156.75mm(或根據客戶定制)
文件號 Document number JF-18-01
版本號 Version Number A1
特性 Property  規格 Specification 檢驗儀器或依據標準 Instrument/Standard 備注 Remark
材料特性  Material properties
生長方式 DSS -      
Crystal Growth Method
導電型號/摻雜劑 P/Boron GB/T 1550
ConductivityType/Dopant
氧含量 ≤5.017 atoms/cm3 (10ppma) GB/T 29054
Oxygen Concentration
碳含量 ≤8.017 atoms/cm3 (16ppma) GB/T 29054
Carbon Concentration
電學性能 Electrical properties
電阻率 Resistivity 1~3?·cm GB/T  1551 或 GB/T  6616  
少子壽命 Brick Lifetime ≥4μs ASTM F28  
尺寸和外觀 Geometry & Surface
厚度 Thickness 200 ±20μm GB/T 6618  
TTV ≤30 μm GB/T 6618  
線痕 Saw mark ≤ 15 μm GB/T 29055  
翹曲度 Warpage ≤ 50μm GB/T 6619  
邊寬 Width 156.75±0.25mm GB/T 29055  
倒角斜邊Chamfer Hypotenuse 0.5~2.0mm GB/T 29055  
直角邊Chamfer Cathetus 0.35-1.42mm    
斜角度Chamfer angle 45°±10°    
隱裂 Microcrack 無Not allowed GB/T 29055  
崩邊 Edge Chip

崩邊深度≤0.3 mm,長度≤0.5 mm; 最多2個/片,不允許有“V”形缺口Depth ≤ 0.3
mm-,Length ≤ 0.5 mm,Max 2 pieces/wafer; V shape crack unacceptable

GB/T 29055  
 
 
 
表面質量 Surface quality 表面無污點、無水漬、無缺口、無孔洞        
No surface stains, water marks, breakage or hole allowed
GB/T 29055  
 
 

 

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